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| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光 | |
| 作者姓名： | 于鲲 孟庆惠 李永康 吴灵犀 陈廷杰 徐寿定 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所(于鲲，孟庆惠，李永康)，中国科学院半导体研究所(吴灵犀，陈廷杰)，中国科学院半导体研究所(徐寿定) |
| 摘 要： | <正> 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果. |
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