1/4μm低噪声GaAsFET 期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

1/4μm低噪声GaAsFET

作者姓名：	P.W.Chye 梁春广

摘要：	采用普通光学光刻法制造了新的1/4μm栅GaAsMESFET,在12和32GHz之间频率范围,超过了所有已报导的FET而成为当今具有最好噪声系数的器件。
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