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Pt掺杂MoSe_(2)吸附CF_(3)I分解组分的第一性原理研究
引用本文:王成江,武俊红,项思雅,王海涛,王凌威,万思宇.Pt掺杂MoSe_(2)吸附CF_(3)I分解组分的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2003(收录汇总):19-28.
作者姓名:王成江  武俊红  项思雅  王海涛  王凌威  万思宇
作者单位:1.三峡大学电气与新能源学院;
摘    要:CF_(3)I作为SF_(6)最具潜力的新型环保绝缘气体,在电气设备出现局部放电、过热等缺陷故障时,会产生C_(2)F_(6)和C_(2)F_(4)等强温室气体,为确保电力设备稳定运行,有必要对CF_(3)I典型分解组分吸附去除.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过吸附能、吸附距离、电荷转移和态密度等吸附指标,分别探究了不同数量Pt掺杂MoSe_(2)对C_(2)F_(6)和C_(2)F_(4)气体分子的吸附性能.研究结果表明:不同数量Pt掺杂在MoSe_(2)表面均存在稳定的掺杂结构,且相较本征MoSe_(2),Pt掺杂后的MoSe_(2)导电性均得到了有效增强;Pt掺杂MoSe_(2)对CF_(3)I分解组分的吸附效果:Pt_(2)-MoSe_(2)>Pt-MoSe_(2)>Pt_(3)-MoSe_(2)>Pt_(4)-MoSe_(2),且Pt_(2)-MoSe_(2)对C_(2)F_(4)表现出强烈的化学吸附作用,而对C_(2)F_(6)为弱物理吸附;Pt_(2)-MoSe_(2)对CF_(3)I分解组分具有选择吸附性,有望用作CF_(3)I典型分解组分C_(2)F_(4)的吸附去除材料.

关 键 词:第一性原理  Pt掺杂MoSe_(2)  CF_(3)I分解组分  吸附性能
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