| ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究 |
| |
| 引用本文： | 尹睿,刘玉岭,李薇薇,张建新.ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究[J].微纳电子技术,2006,43(3):154-158. |
| |
| 作者姓名： | 尹睿 刘玉岭 李薇薇 张建新 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
| |
| 基金项目： | 天津市自然科学基金;河北省重点学科项目 |
| |
| 摘 要： | 针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
|
| 关 键 词： | 全局平坦化 化学机械抛光 低k介质 机理 抛光液 |
| 文章编号： | 1671-4776(2006)03-0154-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-15 |
| 修稿时间： | 2005年11月15 |
Study of the Chemical-Mechanical Global Planarization of Low-k Dielectric in ULSI |
| |
| YIN Rui,LIU Yu-ling,LI Wei-wei,ZHANG Jian-xin.Study of the Chemical-Mechanical Global Planarization of Low-k Dielectric in ULSI[J].Micronanoelectronic Technology,2006,43(3):154-158. |
| |
| Authors: | YIN Rui LIU Yu-ling LI Wei-wei ZHANG Jian-xin |
| |
| Institution: | Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
| |
| Abstract: | The chemical-mechanical global planarization mechanism to the common low-k dielectric material is analyzed.The effect of several factors including pressure,abrasive,pH and temperature in the chemical-mechanical polishing process of low-k dielectric material on the polishing rate and surface appearance are discussed. |
| |
| Keywords: | global planarizartion CMP low-k dielectric mechanism slurry |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
