| SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性 |
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| 引用本文： | 黄大鸣,刘晓晗.SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性[J].光散射学报,1996,8(2):63-81. |
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| 作者姓名： | 黄大鸣 刘晓晗 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | ofF．etal．Phys．Rev．B，1987，35（6）：2808AlsoseeHeJ，RouhaniBD，SaprielJ．Phys．Rev．B，1988，37：4086［9］LeviD，ZhangSL，KleinMVetal．Phys．Rev．B，1987，36（15）：8032AlsoseeJuserB，AlexandreF，PaquetDetal．Appl．Phys．Let．，1985，47（3）：301［10 |
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| 摘 要： | ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。（３）我们讨论了与ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格的结
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| 关 键 词： | SiGe／Si超晶格 拉曼散射 结构稳定性 |
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