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| 证实GaAs中深能级陷阱发射到间接导带的极小的新技术 | |
| 引用本文： | A.Mayerfeld ,P.K.Bhattacharya ,高瑛.证实GaAs中深能级陷阱发射到间接导带的极小的新技术[J].发光学报,1979(3). |
| 作者姓名： | A.Mayerfeld P.K.Bhattacharya 高瑛 |
| 摘 要： | 本文对具有深能级陷阱的肖特基势垒耗尽区的C-V特性提供了一种新的分析,得到了能带图中能级的绝对位置。发现了通常在气相外延GaAs中观察到的0.83±0.005eV电子陷阱位于Γ导带极小下0.543eV(240K)和0.537eV(120K)处。表明这些能级能发射电子到L极小,而且与这些极小有关的参数具有零的温度系数。这些中心的俘获截面是σ∽=(1.8±0.4)×10~(-14)cm~2,在120—240K整个温度区域有一个零的激活能。 |
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