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| 硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究 | |
| 引用本文： | 叶志镇,黄靖云,卢焕明,姜小波,汪雷,赵炳辉,阙端麟.硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究[J].半导体学报,1999,20(1):30-34. |
| 作者姓名： | 叶志镇 黄靖云 卢焕明 姜小波 汪雷 赵炳辉 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和材料特性．由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线，发现生长速度随Ｇｅ组分的增加而降低，以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用． |
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