| GaAs1-xSbx/GaAs单量子阱的光学特性研究 |
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| 引用本文： | 罗向东,边历峰,徐仲英,罗海林,王玉琦,王建农,葛惟琨.GaAs1-xSbx/GaAs单量子阱的光学特性研究[J].物理学报,2003,52(7). |
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| 作者姓名： | 罗向东 边历峰 徐仲英 罗海林 王玉琦 王建农 葛惟琨 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. 香港科技大学物理系,香港 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，中国科学院科技项目 |
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| 摘 要： | 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.
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| 关 键 词： | 选择激发 Ⅱ类跃迁 |
Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAsSb/GaAs |
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