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直边界对电阻率测量的影响及修正
作者单位:国防科技大学 军事基础教育学院,湖南 长沙 410073;国防科技大学 文理学院,湖南 长沙 410073
摘    要:针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究。结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大。依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的。

关 键 词:电阻率  硅片  边界
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