| 阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用 |
| |
| 引用本文： | 胡劲波,支瑶,李启隆.阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用[J].分析化学,1999,27(11):1280-1283. |
| |
| 作者姓名： | 胡劲波 支瑶 李启隆 |
| |
| 作者单位： | 北京师范大学化学系,北京,100875 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.29875003)，高等学校博士学科点专项科学基金(No.98002709)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定，得到一良好的还原峰；Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，。
|
| 关 键 词： | 阿霉素 电化学行为 离子注入 修饰电极 |
Electrochemical Behaviour of Adriamycin and Its Application at Co/GC Ion Implantation Modified Electrode |
| |
| Hu Jingbo,Zhi Yao,Li Qilong.Electrochemical Behaviour of Adriamycin and Its Application at Co/GC Ion Implantation Modified Electrode[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,1999,27(11):1280-1283. |
| |
| Authors: | Hu Jingbo Zhi Yao Li Qilong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Adriamycin electrochemical behaviour ion implantation modified electrode |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
