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| 固体薄层纵深分析研究 Ⅰ.二氧化硅标样氢离子溅射速率的测定 | |
| 引用本文： | 齐芸馨.固体薄层纵深分析研究 Ⅰ.二氧化硅标样氢离子溅射速率的测定[J].分析化学,1990(5). |
| 作者姓名： | 齐芸馨 |
| 作者单位： | 机械电子部五二研究所 内蒙古包头，014034天津电子材料研究所工作，天津市55信箱，邮政编码 300192 |
| 摘 要： | 用PHI600型扫描俄歇探针对二氧化硅标样测定了氩离子对二氧化硅的溅射速率。溅射速率随离子枪束压的升高而增大,随扫描范围的加大而减小,入射角为60～65°时溅射速率最大。文中给出了上述关系的实验曲线 |
| 关 键 词： | 溅射速率 氩离子 二氧化硅标样 扫描俄歇探针 |
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