| CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究 |
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| 引用本文： | 吴圣灵,赵北君,朱世富,何知宇,陈宝军,杨,辉,王小元,孙,宁.CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究[J].人工晶体学报,2014,43(3):492-496. |
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| 作者姓名： | 吴圣灵 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 杨 辉 王小元 孙 宁 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172149) |
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| 摘 要： | 对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达φ14 mm×32mm的CdSiP2单晶体.X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500～7500 cm-1波数范围的红外透过率达55;,吸收系数为0.10 ～0.17 cm-1,电阻率1.3×107 Ω·cm.
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| 关 键 词： | 改进布里奇曼法 CdSiP2晶体 逐层减压坩埚 |
Study on Growth and Explosion-proof Technologies of CdSiP2 Single Crystal |
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