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| 磁场下高纯硅的光热电离谱 | |
| 引用本文： | 朱景兵,刘普霖,史国良,刘卫军,沈学础.磁场下高纯硅的光热电离谱[J].半导体学报,1992,13(4):232-235. |
| 作者姓名： | 朱景兵 刘普霖 史国良 刘卫军 沈学础 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所、红外物理国家重点实验室 上海200081 (朱景兵，刘普霖，史国良，刘卫军)，中国科学院上海技术物理研究所、红外物理国家重点实验室 上海200081(沈学础) |
| 摘 要： | 首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法. |
| 关 键 词： | 磁场 硅 光热电离谱 半导体 |
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