石英晶片化学机械抛光工艺优化

为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度，进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响，确定了最佳工艺参数。研究结果表明：石英晶片平面度和表面粗糙度都随抛光时间延长而优化，在150 min时，平面度和表面粗糙度都能达到稳定。抛光时间为150 min、抛光盘转速为50 r/min、抛光压力为53.5 N时，能使晶片同时得到较好的平面度和表面粗糙度，此时平面度为2.03μm,表面粗糙度为0.68 nm。