| 新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析 |
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| 引用本文： | 徐静平,余岳辉,彭昭廉,陈涛. 新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析[J]. 电子学报, 1995, 0(8) |
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| 作者姓名： | 徐静平 余岳辉 彭昭廉 陈涛 |
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| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
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| 摘 要： | 本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。
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| 关 键 词： | 薄发射极晶闸管，关断时间，通态压降，存储电荷 |
Analyses on Turn-Off Time and On-State Voltage Drop of a New Type of Thin Emitter Thyristors with Low Loss and High Speed |
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| Xu Jingping,Yu Yuehui,Peng Zhaolian,Chen Tao. Analyses on Turn-Off Time and On-State Voltage Drop of a New Type of Thin Emitter Thyristors with Low Loss and High Speed[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, 0(8) |
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| Authors: | Xu Jingping Yu Yuehui Peng Zhaolian Chen Tao |
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| Keywords: | Thin emitter thyristors Turn-off time On-state voltage drops Storage charges |
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