| 一种用于低压防护的新型闩锁免疫双向可控硅 |
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| 引用本文： | 陈磊,杨潇楠,杨波,陈瑞博,李浩亮.一种用于低压防护的新型闩锁免疫双向可控硅[J].微电子学,2020,50(6):899-902, 909. |
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| 作者姓名： | 陈磊 杨潇楠 杨波 陈瑞博 李浩亮 |
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| 作者单位： | 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61874099) |
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| 摘 要： | 针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR。通过多MOS管组成的旁路通路进行分流,能够增强反偏结电场,从而提高器件抗闩锁能力。基于TCAD进行仿真,模拟TLP测试结果表明,与NLVT_DDSCR相比,新型器件的触发电压基本保持不变,维持电压从3.50 V提高到5.06 V,通过拉长关键尺寸D5,可将器件维持电压进一步提高到6.02 V,适用于电源轨为5 V的低压芯片防护。
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| 关 键 词： | 静电放电 双向可控硅 分流 多脉冲仿真 维持电压 |
| 收稿时间： | 2019/5/22 0:00:00 |
A Novel Latchup-Immune DDSCR for Low Voltage Protection |
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| CHEN Lei,YANG Xiaonan,YANG Bo,CHEN Ruibo,LI Haoliang.A Novel Latchup-Immune DDSCR for Low Voltage Protection[J].Microelectronics,2020,50(6):899-902, 909. |
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| Authors: | CHEN Lei YANG Xiaonan YANG Bo CHEN Ruibo LI Haoliang |
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| Institution: | School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ESD DDSCR shunting multi-pulse simulation holding voltage |
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