四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器

考虑GaAs肖特基势垒比Si高,并且器件在一定正偏压下工作,所以参数的设计需在一定的正偏压下进行,修正了零偏压下的设计误差. 外延材料是掺硫汽相外延,浓度为2×10~(17)cm~(-3),厚度约为0.5μm.衬底材料浓度为2 ×10~(13)cm~(-3),结直径约 2—2.5μm.势垒金属 Ni采用电镀方法形成,使覆盖电容最小,工艺简单.对电镀层的沾污进行了分析和改进.势垒结工作寿命为1000小时. 二极管和混频器结合成一整体设计.研制了蜂窝触须结构混频器.设计了专门的装管、触须腐蚀微动装置,使触须具有一定压力并有较好的机械可靠性,能承受一定的冲击力.为了测试噪声系数,研制了四毫米噪声源,热噪声标准.混频管最佳变频损耗Lmin=4.7dB.在变频损耗L=6.5dB下,测试中放频率100—300MHz,混频器噪声系数的典型测试值N_F=10.7dB(单边带包括中放N_(IF)=2dB).