| 裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响 |
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| 引用本文： | 肖宗湖,张萌,熊传兵,江风益,王光绪,熊贻婧,汪延明.裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响[J].人工晶体学报,2010,39(4):895-899. |
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| 作者姓名： | 肖宗湖 张萌 熊传兵 江风益 王光绪 熊贻婧 汪延明 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330096 |
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| 基金项目： | 教育部长江学者与创新团队发展计划资助 |
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| 摘 要： | 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.
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| 关 键 词： | Si衬底 InGaN/GaN LED 裂纹 应力 |
Influence of Crack on Stress State of GaN Based LED on Si Substrates |
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| XIAO Zong-hu,ZHANG Meng,XIONG Chuan-bing,JIANG Feng-yi,WANG Guang-xu,XIONG Yi-jing,WANG Yan-ming.Influence of Crack on Stress State of GaN Based LED on Si Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(4):895-899. |
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| Authors: | XIAO Zong-hu ZHANG Meng XIONG Chuan-bing JIANG Feng-yi WANG Guang-xu XIONG Yi-jing WANG Yan-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN/GaN LED |
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