|
|||||
|
|
| 气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术 | |
| 引用本文： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司.气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术[J].中国集成电路,2008,17(4):18-19. |
| 作者姓名： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 作者单位： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 摘 要： | 环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果．2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利，专利号ZL200610013497．6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。 |
| 关 键 词： | 区熔硅单晶 生产技术 气相掺杂 国家知识产权局 技术创新成果 自主知识产权 生长工艺 发明专利 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |