| 强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物生长行为 |
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| 引用本文： | 赵杰,朱凤,尹德国,王来. 强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物生长行为[J]. 大连理工大学学报, 2006, 46(2): 202-206 |
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| 作者姓名： | 赵杰 朱凤 尹德国 王来 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024;大连理工大学,材料科学与工程学院,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 研究了3T和8T强磁场作用下Sn-3Ag-0．5Cu／Cu焊接接头界面金属问化合物在170℃时效过程中的生长行为．结果表明：强磁场作用下界面金属问化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加，且呈抛物线规律；随着磁场强度的增大，Sn-3Ag-0．5Cu／Cu界面金属闸化合物的生长速度加快．分析认为强磁场的存在加快了原子的运动，提高了原子的扩散系数，从而加快了界面金属间化合物层的生长速度．
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| 关 键 词： | 金属间化合物层 强磁场 抛物线规律 生长速率 |
| 文章编号： | 1000-8608（2006）02-0202-05 |
| 收稿时间： | 2005-02-11 |
| 修稿时间： | 2005-02-112006-01-04 |
Growth behavior of intermetallic compound layer at Sn-3Ag-0.5Cu/Cu interface under high magnetic field |
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| ZHAO Jie,ZHU Feng,YIN De-guo,WANG Lai. Growth behavior of intermetallic compound layer at Sn-3Ag-0.5Cu/Cu interface under high magnetic field[J]. Journal of Dalian University of Technology, 2006, 46(2): 202-206 |
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| Authors: | ZHAO Jie ZHU Feng YIN De-guo WANG Lai |
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| Affiliation: | School of Mater. Sci. and Eng., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IMC layer high magnetic field parabolic rate law growth rate |
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