| MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究 |
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| 引用本文： | 辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益. MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J]. 发光学报, 2000, 21(1): 33-37 |
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| 作者姓名： | 辛勇 熊传兵 彭学新 王立 姚冬敏 李述体 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术“863”材料委员会资助，国家自然科学重大基金资助项目!(批准号 698962 60 ) |
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| 摘 要： | 对本实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未故意掺杂的ＧａＮ单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明，室温时ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较宽。低补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较窄。
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| 关 键 词： | 补偿度 X射线双晶衍射 MOCVD 氮化镓 结晶特性 |
| 文章编号： | 1000-7032(2000)01-0033-05 |
| 修稿时间： | 1999-07-20 |
Relationship Between Structural Characteristics and Compensation Ratio in Unintentionally Doped GaN Grown by MOCVD |
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| XIN Yong,XIONG Chuan-bing,PENG Xue-xin,WANG Li,YAO Dong-min,LI Shu-ti,JIANG Feng-yi. Relationship Between Structural Characteristics and Compensation Ratio in Unintentionally Doped GaN Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000, 21(1): 33-37 |
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| Authors: | XIN Yong XIONG Chuan-bing PENG Xue-xin WANG Li YAO Dong-min LI Shu-ti JIANG Feng-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN compensation ratio X ray double crystal diffraction MOCVD |
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