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用光电子能谱确定(Cs—O)激活GaAs(110)表面的结构
作者姓名:
C.Y.Su
W.E.Spicer
I.Lindau
刘力滨
高鲁山
摘 要:
一、前言负电子亲和势(NEA)材料的发现是光电发射材料领域中一项开拓性进展。尔后,人们对比GaAs带隙更窄的其它Ⅲ-V族半导体进行了更为广泛的研究,旨在获得NEA状态,为一些工作在1μm或更高波段的红外系统选择高效率光电阴极推动了研究工
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