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| 用光电子能谱确定(Cs—O)激活GaAs(110)表面的结构 | |
| 作者姓名： | C.Y.Su W.E.Spicer I.Lindau 刘力滨 高鲁山 |
| 摘 要： | 一、前言负电子亲和势(NEA)材料的发现是光电发射材料领域中一项开拓性进展。尔后,人们对比GaAs带隙更窄的其它Ⅲ-V族半导体进行了更为广泛的研究,旨在获得NEA状态,为一些工作在1μm或更高波段的红外系统选择高效率光电阴极推动了研究工 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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