| Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究 |
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| 引用本文： | 张蓓榕,忻佩胜,孙沩. Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究[J]. 华东师范大学学报(自然科学版), 1994, 0(1) |
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| 作者姓名： | 张蓓榕 忻佩胜 孙沩 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学系 |
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| 摘 要： | 本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。
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| 关 键 词： | 电迁移，金属化 |
Research on Failure of Electromigration of Al-Si (1%) Interconnections |
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| Zhang Beirong, Xin Peisheng, Sun Wei. Research on Failure of Electromigration of Al-Si (1%) Interconnections[J]. Journal of East China Normal University(Natural Science), 1994, 0(1) |
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| Authors: | Zhang Beirong Xin Peisheng Sun Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electromigration metallization |
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