正向电压激发下发蓝光的ZnSe发光二极管

研究了用高纯ZnSe单晶制备的MIS二极管在正偏压下的电致发光发射光谱。室温时,在4655和4770Å处有二个强的蓝发射带,而在低温时观察到精细结构。在20°k时,自由激子和束缚激子的发射特别强,施主—受主对发射带(Q系列)及与之相伴的自由态到束缚态的发射也很明显。当温度升高时,束缚激子发射、D—A对带的发射、自由态到束缚态的发射都被猝灭,故在室温时只有两个蓝的发射带。证明了4655处的发射带和受导带中自由电子散射的自由激子的复合有关,4770Å处的发射带是自由激子的复合同时发射两个LO声子造成的。