| 含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性 |
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| 引用本文： | 娄建忠,贾长江,郝,华,张二鹏,史守山,闫小兵.含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性[J].人工晶体学报,2014(4):811-814,819. |
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| 作者姓名： | 娄建忠 贾长江 郝 华 张二鹏 史守山 闫小兵 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60876055,11074063);河北省自然科学基金(E2013201176);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北大学自然科学基金(2011-219) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元。所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应。对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性。阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解。
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| 关 键 词： | 阻变开关 IGZO薄膜 Ag电极 开关机制 |
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