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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
(Ba-Ph)TiO_3系半导瓷材料及掺杂锰对其性能的影响
作者姓名:
周方桥
张绪礼
孟源
作者单位:
华中工学院固体电子学系(周方桥,张绪礼),华中工学院固体电子学系(孟源)
摘 要:
本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了掺杂元素锰对其室温电阻率和PTC效应的影响,并且指出,制备高含铅PTC半导瓷材料可以不掺或少掺锰。
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