| 制约硅晶片减薄因素研究分析 |
| |
| 引用本文： | 刘腾云,葛培琪,高玉飞.制约硅晶片减薄因素研究分析[J].人工晶体学报,2015,44(7):1719-1724. |
| |
| 作者姓名： | 刘腾云 葛培琪 高玉飞 |
| |
| 作者单位： | 山东大学机械工程学院,济南,250061;山东大学机械工程学院,济南250061;山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室,济南250061 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51205234);山东省自然科学基金(ZR2014EEM034) |
| |
| 摘 要： | 随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.
|
| 关 键 词： | 硅晶片 晶片厚度 断裂强度 刚度 |
Research on the Factors Limiting to Reduce the Thickness of Silicon Wafers |
| |
| LIU Teng-yun,GE Pei-qi,GAO Yu-fei.Research on the Factors Limiting to Reduce the Thickness of Silicon Wafers[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(7):1719-1724. |
| |
| Authors: | LIU Teng-yun GE Pei-qi GAO Yu-fei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
