| TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析 |
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| 引用本文： | 王佳麒,张艳,裴广庆,周金堂,李涛,黄小卫,柳祝平.TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析[J].人工晶体学报,2015,44(3):627-631. |
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| 作者姓名： | 王佳麒 张艳 裴广庆 周金堂 李涛 黄小卫 柳祝平 |
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| 作者单位： | 元亮科技有限公司,无锡,214037;上海元亮光电科技有限公司,上海,201801;福建鑫晶精密刚玉科技有限公司,连城,366200 |
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| 摘 要： | 采用化学腐蚀-金相显微镜法,利用熔融的KOH对顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长的直径320 mm的蓝宝石单晶中不同部位的晶片做了位错腐蚀形貌分析.研究表明,(0001)面的位错腐蚀坑呈三角形,腐蚀晶界具有延伸性.对比不同腐蚀时间、不同腐蚀温度和不同表面粗糙度下的腐蚀效果,发现使用KOH腐蚀剂在400℃腐蚀15min时,效果最好.表面粗糙度越小,位错图像越清晰.
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| 关 键 词： | 蓝宝石单晶 腐蚀 KOH 表面粗糙度 |
Analysis of Dislocation Etched Topography for Sapphire Single Crystal Grown by TSTGT Method |
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| WANG Jia-qi,ZHANG Yan,PEI Guang-qing,ZHOU Jin-tang,LI Tao,HUANG Xiao-wei,LIU Zhu-ping.Analysis of Dislocation Etched Topography for Sapphire Single Crystal Grown by TSTGT Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(3):627-631. |
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| Authors: | WANG Jia-qi ZHANG Yan PEI Guang-qing ZHOU Jin-tang LI Tao HUANG Xiao-wei LIU Zhu-ping |
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