| 衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 王何美,朱华,冯晓炜,况慧芸,王艳香.衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响[J].人工晶体学报,2015,44(5):1266-1270. |
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| 作者姓名： | 王何美 朱华 冯晓炜 况慧芸 王艳香 |
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| 作者单位： | 景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇,333001;景德镇陶瓷学院科技艺术学院,景德镇,333001;景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,景德镇,333001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51102122);江西省自然科学基金(20142BAB206008);江西省教育厅科技项目(GJJ14646) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征.结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向.所有薄膜样品在420 ～ 900 nm区间内的平均透光率大于91;.随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大.衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移.
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| 关 键 词： | ZnO∶B薄膜 磁控溅射 光电特性 |
Influence of Substrate Temperature on the Microstructure and Photoelectric Properties of Boron Doped ZnO Thin Film |
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| WANG He-mei,ZHU Hua,FENG Xiao-wei,KUANG Hui-yun,WANG Yan-xiang.Influence of Substrate Temperature on the Microstructure and Photoelectric Properties of Boron Doped ZnO Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(5):1266-1270. |
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| Authors: | WANG He-mei ZHU Hua FENG Xiao-wei KUANG Hui-yun WANG Yan-xiang |
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