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| 宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展 | |
| 作者姓名： | 张宏哲 王林军 夏长泰 赛青林 肖海林 |
| 作者单位： | 上海大学,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;上海大学,上海,200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
| 基金项目： | 上海市科委科技攻关(13111103700);国家自然科学基金(61176072) |
| 摘 要： | 本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景. |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器, |
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