| 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究 |
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| 作者姓名： | 张小桃 谢建军 夏长泰 张晓欣 肖海林 赛青林 户慧玲 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 上海市科研计划能力建设项目(14520500300);上海市科委科技攻关(13111103700) |
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| 摘 要： | 作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10;的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.
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| 关 键 词： | Sn∶β-Ga2O3 浮区法 电导率 荧光光谱, |
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