| 铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究 |
| |
| 引用本文： | 王冰心,徐家跃,金敏,何庆波,房永征. 铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(5): 1156-1160 |
| |
| 作者姓名： | 王冰心 徐家跃 金敏 何庆波 房永征 |
| |
| 作者单位： | 上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418;昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司,苏州,215300 |
| |
| 基金项目： | 上海市科委项目(09530500800) |
| |
| 摘 要： | 使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5;Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.
|
| 关 键 词： | 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 Bi掺杂, |
Growth and Characterization of Bi-doped GaAs Crystal by Bridgman Method |
| |
| WANG Bing-xin,XU Jia-yue,JIN Min,HE Qing-bo,FANG Yong-zheng. Growth and Characterization of Bi-doped GaAs Crystal by Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(5): 1156-1160 |
| |
| Authors: | WANG Bing-xin XU Jia-yue JIN Min HE Qing-bo FANG Yong-zheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
