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高温高压下cBN单晶转变机理的EET理论分析
引用本文:许斌,吕美哲,张文,蔡立超,苏海通.高温高压下cBN单晶转变机理的EET理论分析[J].人工晶体学报,2015,44(10):2714-2720.
作者姓名:许斌  吕美哲  张文  蔡立超  苏海通
作者单位:山东建筑大学材料科学与工程学院,济南,250101;山东大学材料科学与工程学院,济南,250061
基金项目:国家自然科学基金(51272139)
摘    要:使用ab从头算原理计算了六方氮化硼(hBN)和立方氮化硼(cBN)在cBN单晶合成温度和压强下(1800 K,5.0 GPa)的晶格常数.通过EET理论构建了hBN和cBN的共价电子结构,并计算出九组hBN和cBN单晶的不同低指数晶面之间在高温高压下的相对共价电子密度.根据TFDC理论分析判断,发现hBN的(110)与cBN的(110)、hBN的(100)与cBN的(100)分别连续,两组晶面组合的相对共价电子密度差均小于<10;.这表明:这两组hBN/cBN晶面之间的价电子结构相差不大,可以诱使hBN直接转变为cBN.因此本文认为:从价电子结构的角度分析,高温高压下的cBN单晶极有可能是由hBN直接转变而来的.

关 键 词:EET理论  共价电子密度  cBN单晶  转变机理  高温高压  

EET Theory Analysis of the Transition Mechanism of cBN Single Crystal under HPHT
XU Bin,LV Mei-zhe,ZHANG Wen,CAI Li-chao,SU Hai-tong.EET Theory Analysis of the Transition Mechanism of cBN Single Crystal under HPHT[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(10):2714-2720.
Authors:XU Bin  LV Mei-zhe  ZHANG Wen  CAI Li-chao  SU Hai-tong
Abstract:
Keywords:
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