低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性 |
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引用本文: | 闫小兵,李玉成,闫铭,杨涛,贾信磊,陈英方,赵建辉,李岩,娄建忠. 低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3014-3018 |
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作者姓名: | 闫小兵 李玉成 闫铭 杨涛 贾信磊 陈英方 赵建辉 李岩 娄建忠 |
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作者单位: | 河北大学电子信息工程学院,河北省数字医疗工程重点实验室,保定071002 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61306098);河北省自然科学基金(E2012201088,E2013201176);中国博士后项目研究基金(2013M530754);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北省高等学校拔尖青年基金(BJ2014008);河北大学研究生创新资助项目(X2015074);河北大学教改课题(JX08-ZD-14) |
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摘 要: | 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8 ×104 s,有较好的保持特性.分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开.
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关 键 词: | 阻变存储器 低限制电流 开关机制 导电细丝, |
Low Current Resistive Switching Behavior in BiFeO3 Thin Films with Ag Electrode |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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