| 无籽晶化学气相法生长ZnO晶体 |
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| 引用本文： | 胡永琴,曾体贤,陈太红,王茂州,彭丽萍,王雪敏,吴卫东. 无籽晶化学气相法生长ZnO晶体[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(6): 1504-1508 |
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| 作者姓名： | 胡永琴 曾体贤 陈太红 王茂州 彭丽萍 王雪敏 吴卫东 |
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| 作者单位： | 西华师范大学物理与电子信息学院,南充637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳621900;西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金(2013M542294);四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133);西华师范大学基本科研项目(2013C008) |
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| 摘 要： | 采用化学气相法自发成核的方式生长出φ4mm×5 mm ZnO单晶体.分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面,其回摆曲线半峰宽为18arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的Zn面,位错缺陷密度为103 cm-2量级.晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450～1000 nm内达65;,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 eV.结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高.
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| 关 键 词： | ZnO 无籽晶化学气相输运 透过率, |
Growth of ZnO Single Crystal by Unseeded Chemical Vapor Transport Method |
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| HU Yong-qin,ZENG Ti-xian,CHEN Tai-Hong,WANG Mao-zhou,PENG Li-pin,WANG Xue-min,WU Wei-dong. Growth of ZnO Single Crystal by Unseeded Chemical Vapor Transport Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(6): 1504-1508 |
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| Authors: | HU Yong-qin ZENG Ti-xian CHEN Tai-Hong WANG Mao-zhou PENG Li-pin WANG Xue-min WU Wei-dong |
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| Keywords: | |
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