| 氮气压强对PLD制备ZnO薄膜形貌及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴克跃,吴兴举. 氮气压强对PLD制备ZnO薄膜形貌及光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 190-194 |
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| 作者姓名： | 吴克跃 吴兴举 |
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| 作者单位： | 皖西学院材料与化工学院,六安237012;皖西学院太阳能光电材料开发与应用工程中心,六安237012;皖西学院材料与化工学院,六安,237012 |
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| 基金项目： | 皖西学院优秀青年基金(WXYQ1314);六安市委托定向皖西学院项目(2013LWA012);国家自然科学基金(21377099);安徽省自然科学基金(1408085QA13) |
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| 摘 要： | 研究了氮气压强对脉冲激光沉积(PLD)法制备ZnO薄膜形貌及光电学性能的影响.结果表明,当氮气压强较低时,ZnO薄膜是由尺寸为50 nm的薄片组成;当氮气压强增加后,ZnO薄膜变成多孔状,并且组成ZnO薄膜的颗粒尺寸逐渐减小.在氮气压强为20 Pa以上时,所制备的ZnO薄膜的光致荧光(PL)光谱是由380 nm的带边发光峰和520 nm的缺陷发光峰组成;当氮气压强较低时(5 Pa和2 Pa),ZnO薄膜的PL光谱只有一个位于400 nm或41O nm处的发光峰.电学方而,2Pa和5 Pa氮气压强下制备的ZnO薄膜的电阻率约为氮气压强为20 Pa和50 Pa下制备样品的104和105倍.研究表明,当氮气压强较低时,Zn离子和O离子具有较大平均自由程和较大平均动能,因此易使N2离子化,可以使部分N离子掺入ZnO晶格中.当氮气压强较高时,Zn离子和O离子平均动能较小,不易使N2离子化,氮难于掺入ZnO晶格中.
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| 关 键 词： | ZnO 氮气 脉冲激光沉积 光电性能, |
Effect of Nitrogen Pressure on the Morphology and Photoelectric Properties of ZnO Films Prepared by PLD |
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| WU Ke-yue,WU Xing-ju. Effect of Nitrogen Pressure on the Morphology and Photoelectric Properties of ZnO Films Prepared by PLD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(1): 190-194 |
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| Authors: | WU Ke-yue WU Xing-ju |
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