近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+的制备及性能研究 |
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作者姓名: | 龚文丽 钟瑞霞 齐建全 刘自然 张晓燕 |
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作者单位: | 东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛,066004;东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛066004;东北大学秦皇岛分校河北省电介质与电解质重点实验室,秦皇岛066004;河北科技师范学院凝聚态物理研究所,秦皇岛,066004 |
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基金项目: | 国家自然科学基金青年基金(11204027);东北大学基本科研业务费(N130423002,N130423001);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(14961108D);清华大学新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室开放基金(KF201410);河北省自然科学基金(E2013501035) |
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摘 要: | 利用高温固相法制备了EH3+、Sm3单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶ Eu3+、SrIn2O4∶ Sm3+、SrIn2O4∶ Eu3+,Sm3+进行表征.结果表明,SrIn2O4∶ Eu3+在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在SrIn2 O4∶Sm3+体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu3和Sm3激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+更适合于390~410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉.
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关 键 词: | 近紫外激发 红色荧光粉 SrIn2O4 Eu3+,Sm3+, |
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