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衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响
引用本文:彭柳军,杨雯,陈小波,自兴发,杨培志,宋肇宁.衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响[J].人工晶体学报,2015,44(1):38-42.
作者姓名:彭柳军  杨雯  陈小波  自兴发  杨培志  宋肇宁
作者单位:云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092;美国托莱多大学物理与天文系,托莱多43606
基金项目:国家自然科学基金(U1037604)
摘    要:采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5;;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.

关 键 词:Zn(O  S)薄膜  磁控共溅射  衬底温度  光电性能  

Effect of Substrate Temperature on Structure and Photoelectric Properties of Zn(O,S) Thin Films Deposited by Magnetron Co-sputtering
PENG Liu-jun,YANG Wen,CHEN Xiao-bo,ZI Xing-fa,YANG Pei-zhi,SONG Zhao-ning.Effect of Substrate Temperature on Structure and Photoelectric Properties of Zn(O,S) Thin Films Deposited by Magnetron Co-sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(1):38-42.
Authors:PENG Liu-jun  YANG Wen  CHEN Xiao-bo  ZI Xing-fa  YANG Pei-zhi  SONG Zhao-ning
Abstract:
Keywords:
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