| 高质量N型SiC单晶生长及其器件应用 |
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| 引用本文： | 杨祥龙,杨昆,陈秀芳,彭燕,胡小波,徐现刚,李赟,赵志飞.高质量N型SiC单晶生长及其器件应用[J].人工晶体学报,2015,44(6):1427-1431. |
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| 作者姓名： | 杨祥龙 杨昆 陈秀芳 彭燕 胡小波 徐现刚 李赟 赵志飞 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210000 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)(2015AA031001);国家自然科学基金(51323002) |
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| 摘 要： | 采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67;.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平.
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| 关 键 词： | 碳化硅 物理气相传输 外延 肖特基二极管 |
Growth and Device Application of High Quality N-type SiC Single Crystals |
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