| 13N超高纯锗单晶的制备与性能研究 |
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| 引用本文： | 顾小英,赵青松,牛晓东,狄聚青,张家瑛,肖溢,罗恺.13N超高纯锗单晶的制备与性能研究[J].人工晶体学报,2024(3):497-502. |
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| 作者姓名： | 顾小英 赵青松 牛晓东 狄聚青 张家瑛 肖溢 罗恺 |
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| 作者单位： | 2. 广东先导稀材股份有限公司 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2021YFC2902805)； |
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| 摘 要： | 13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭，再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶，最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示，晶体头部截面平均迁移率为4.515×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.176×1010 cm-3,导电类型为p型，位错密度为2 256 cm-2;尾部截面平均迁移率为4.620×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.007×1010 cm-3,导电类型为p型，位错密度为2 589 cm-2。晶体深能级杂质浓度为1.843×109 cm-3。以上结果...
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| 关 键 词： | 锗单晶 探测器 迁移率 载流子浓度 位错密度 |
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