| 生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响 |
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| 引用本文： | 张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚.生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响[J].人工晶体学报,2015,44(12):3799-3803. |
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| 作者姓名： | 张恒 曲爽 王成新 胡小波 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100 |
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| 基金项目： | Natural Science Foundation of China under Grant(11134006);Shandong University Natural Science Special(2014QY005);863 Program(2015AA033302) |
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| 摘 要： | 使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量.结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差.在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌.同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量.在反应室压力100torr、氢气组分59;时得到AlGaNHEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s.
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| 关 键 词： | 氮化镓 表面形貌 二维电子气 迁移率 |
Effects of Growth Conditions on Surface Morphology of Barrier Layer and Mobility of the Two-dimensional Electron Gas of AlGaN/GaN HEMT |
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| ZHANG Heng,QU Shuang,WANG Cheng-xin,HU Xiao-bo,XU Xian-gang.Effects of Growth Conditions on Surface Morphology of Barrier Layer and Mobility of the Two-dimensional Electron Gas of AlGaN/GaN HEMT[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(12):3799-3803. |
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| Authors: | ZHANG Heng QU Shuang WANG Cheng-xin HU Xiao-bo XU Xian-gang |
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