| MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 孙孪鸿,邹军,徐家跃,李文博.MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究[J].人工晶体学报,2015,44(7):1790-1793. |
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| 作者姓名： | 孙孪鸿 邹军 徐家跃 李文博 |
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| 作者单位： | 上海应用技术学院,上海,201418;江西晶能光电股份有限公司,南昌,330029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金(51302171);上海应用技术学院人才计划项目(YJ2014-04);上海市学科能力建设项目(14500503300);上海联盟计划项目(LM201318);上海市产学研合作项目(沪CXY-2013-61) |
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| 摘 要： | 本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.
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| 关 键 词： | 蓝宝石 GaN薄膜 MOCVD |
Properties of GaN Thin Film Grown on Sapphire Substrate by MOCVD Method |
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| SUN Luan-hong,ZOU Jun,XU Jia-yue,LI Wen-bo.Properties of GaN Thin Film Grown on Sapphire Substrate by MOCVD Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(7):1790-1793. |
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| Authors: | SUN Luan-hong ZOU Jun XU Jia-yue LI Wen-bo |
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