| 单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究 |
| |
| 引用本文： | 林春丹,赵红伟,杨振清,邵长金. 单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 1036-1040 |
| |
| 作者姓名： | 林春丹 赵红伟 杨振清 邵长金 |
| |
| 作者单位： | 中国石油大学(北京)理学院,北京,102249 |
| |
| 基金项目： | 中国石油大学(北京)基础科研基金(KYJJ2012-06-26) |
| |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带(AMoS2NR)的结构与电子性质.结果表明,优化的AMoS2NR纳米带边缘上Mo原子较S原子向纳米带内侧收缩;引入空位缺陷后,边缘上Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,稳定性降低;空位缺陷纳米带相比完整纳米带,带隙减小;同时,空位缺陷处原子部分态密度降低,相应的能带线分布稀疏.
|
| 关 键 词： | 二硫化钼 空位缺陷 电子性质 密度泛函理论 第一性原理, |
Geometries and Electronic Properties of Armchair MoS2 Nanoribbons with Single Vacancy Defect |
| |
| LIN Chun-dan,ZHAO Hong-wei,YANG Zhen-qing,SHAO Chang-jin. Geometries and Electronic Properties of Armchair MoS2 Nanoribbons with Single Vacancy Defect[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(4): 1036-1040 |
| |
| Authors: | LIN Chun-dan ZHAO Hong-wei YANG Zhen-qing SHAO Chang-jin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
