摘 要: | 随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到限制。由于(heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管)HPT具有内部增益,SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征,并且制作了原型器件,器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W,光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT,并进行光电响应模拟,模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%,增加吸收区材料Ge组分到0.5,量子效率可提高到30%,半高度为1.5nm,适应光通讯的要求。
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