首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

反应溅射法制成的氧化锡薄膜气敏元件制造参量与CO灵敏度之间的关系
引用本文:Hubn,HP 吴功园.反应溅射法制成的氧化锡薄膜气敏元件制造参量与CO灵敏度之间的关系[J].电子,1991(2):40-41,19.
作者姓名:Hubn  HP 吴功园
摘    要:

关 键 词:氧化锡  薄膜  气敏元件  反应溅射法
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号