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| 淬火固态再结晶工艺研究 | |
| 引用本文： | 张学功,刘玉聪,张文福,强淑芳.淬火固态再结晶工艺研究[J].红外与激光工程,1989(1). |
| 作者姓名： | 张学功 刘玉聪 张文福 强淑芳 |
| 作者单位： | 航空航天工业部三院八三五八所，航空航天工业部三院八三五八所，航空航天工业部三院八三五八所，航空航天工业部三院八三五八所 |
| 摘 要： | 本文在分析淬火固态再结晶(CR)工艺生长碲镉汞(MCT)晶体原理基础上,研究了 CR 工艺生长 MCT 晶体有关步骤,改进了合成、淬火及再结晶工艺。合成时采用混合温度分布方式简化了升温及合成炉摆动工艺;淬火时在反应管内加石墨塞子改善了晶体组分均匀性;再结晶时采用温度梯度退火提高了再结晶效率。对改进工艺生长的 MCT(x=0.2)晶体组分均匀性、结构完整性、光学和电学性质进行了分析,结果表明晶体质量有明显提高。 |
| 关 键 词： | 淬火 再结晶 碲镉汞 |
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