| 在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜 |
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| 引用本文： | 季鲁,阎少林,赵新杰,方兰,李永刚,何明.在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜[J].低温物理学报,2005,27(1):751-755. |
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| 作者姓名： | 季鲁 阎少林 赵新杰 方兰 李永刚 何明 |
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| 作者单位： | 南开大学电子科学系,天津300071 |
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| 摘 要： | 我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有CeO2／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法．XRD实验结果表明，Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构，并具有双向外延生长特性．在CeO2／YSZ／CeO2／Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102．8K，Jc（77K，0T）达到2．6MA／cm^2；在YSZ／CeO2／Ni基带上薄膜的Tc可达97．7K，Jc（77K，0T）也可以达到0．45MA／cm^2．
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| 关 键 词： | Tl-2212 RABTiS 缓冲层 YSZ CeO2 |
| 收稿时间： | 03 28 2005 12:00AM |
PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF Tl2Ba2CaCu2O8 THIN FILMS ON RABiTS |
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| JI LU,YAN SHAO-LIN,ZHAO XIN-JIE,FANG LAN,LI YONG-GANG,HE MING.PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF Tl2Ba2CaCu2O8 THIN FILMS ON RABiTS[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(1):751-755. |
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| Authors: | JI LU YAN SHAO-LIN ZHAO XIN-JIE FANG LAN LI YONG-GANG HE MING |
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| Institution: | 1.Department of Electronics, Nankai University, Tianjin 300071;2. FW Dresden,D-01171 Dresden,Germany |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | T-2212 RABTiS Buffer layer YSZ CeO2 |
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