| 巨磁电阻材料La0.9Sr0.1MnO3与半导体Si组成的二极管的整流特性 |
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| 引用本文： | 刘丽峰,吕惠宾,戴守愚,陈正豪. 巨磁电阻材料La0.9Sr0.1MnO3与半导体Si组成的二极管的整流特性[J]. 物理学报, 2005, 54(5): 2342-2345 |
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| 作者姓名： | 刘丽峰 吕惠宾 戴守愚 陈正豪 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080;中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080;中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080;中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080 |
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| 摘 要： | 掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型 硅基片上，构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明， 这种p-n结的结电阻对低磁场敏感，在3×10-2T的磁场下，磁电阻可达70％.磁 电阻的正负依赖于温度.磁电阻的大小可通过加在p-n结上的电压调节.
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| 关 键 词： | p-n结， 掺杂锰氧化物， 硅， 巨磁电阻 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(05)2342-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-27 |
Rectifying characteristics of La0.9Sr0.1MnO3/Si p-n diodes |
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| Liu Li-Feng. Rectifying characteristics of La0.9Sr0.1MnO3/Si p-n diodes[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(5): 2342-2345 |
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| Authors: | Liu Li-Feng |
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| Abstract: | Simple p_n diodes have been fabricated by direct growth of La0.9Sr0.1MnO3 thin films on n_type silicon substrates.These junctio ns exhibit good rectifying characteristic in a wide temperature range from 50 to 280K.Large magnetoresistance up to 70% was observed in a low field of 3×10-2T in th ese junctions.The junction magnetoresistance depends on bias and temperature. |
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| Keywords: | p-n junction manganites silicon colossal magnetoresistance |
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