| 考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型 |
| |
| 引用本文： | 鲍嘉明,孙伟锋,时龙兴.考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型[J].微电子学,2011,41(4). |
| |
| 作者姓名： | 鲍嘉明 孙伟锋 时龙兴 |
| |
| 作者单位： | 1. 北方工业大学信息工程学院微电子学系,北京,100144
2. 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096 |
| |
| 摘 要： | 在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型.计算结果表明,与Kim Yeong-Seuk等人提出的模型相比,该改进模型在更大的工作电压范围内都具有较高的计算精度,特别是在VDMOS发生准饱和效应时,计算精度有较大程度的提高,更加符合MEDICI的模拟结果.
|
| 关 键 词： | 垂直双扩散MOS场效应晶体管 物理模型 准饱和效应 |
An Improved Physical Model for VDMOS Considering Quasi-Saturation Effect |
| |
| BAO Jiaming,SUN Weifeng,SHI Longxing.An Improved Physical Model for VDMOS Considering Quasi-Saturation Effect[J].Microelectronics,2011,41(4). |
| |
| Authors: | BAO Jiaming SUN Weifeng SHI Longxing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
