| 大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术 |
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| 引用本文： | 莫小刚,王永国,朱建慧,徐学珍,何占斌,桂尤喜,王克强.大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术[J].人工晶体学报,2007,36(3):520-525. |
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| 作者姓名： | 莫小刚 王永国 朱建慧 徐学珍 何占斌 桂尤喜 王克强 |
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| 作者单位： | 北京雷生强式科技有限责任公司,北京,100015;北京雷生强式科技有限责任公司,北京,100015;中国电子科技集团公司第十一研究所,北京,100015;中国电子科技集团公司第十一研究所,北京,100015 |
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| 基金项目： | 固体激光技术国防科技重点实验室基金;军品配套研制项目 |
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| 摘 要： | 通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径.采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题.晶体生长实验和晶体的显微观察表明:YAP晶体中的弥散状散射很可能同熔体中组分的均匀性有关,通过增大晶体的直径,增强强迫对流有助于减轻晶体中的弥散状散射.高质量b轴Nd:YAP和a轴Tm:YAP晶体已分别实现二极管泵浦大于140W的1.079μm和大于10W的1.99μm激光输出.
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| 关 键 词： | Nd:YAP Tm:YAP 提拉法 晶体生长 退火 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）03-0520-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-25 |
Growth and Annealing Techniques of Large-sized Nd:YAP and Tm:YAP Crystals |
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| MO Xiao-gang,WANG Yong-guo,ZHU Jian-hui,XU Xue-zhen,HE Zhan-bin,GUI You-xi,WANG Ke-qiang.Growth and Annealing Techniques of Large-sized Nd:YAP and Tm:YAP Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(3):520-525. |
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| Authors: | MO Xiao-gang WANG Yong-guo ZHU Jian-hui XU Xue-zhen HE Zhan-bin GUI You-xi WANG Ke-qiang |
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| Institution: | 1. Beijing Opto-electrionics Technology Co. Ltd, Beijing 100015, China; 2. 11^th Institute of China Electronic Technology Corporation, Beijing 100015, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Nd:YAP Tm:YAP |
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